In2Ge2Te6, In2Si2Te6, InGeTe3 ve InSiTe3 bileşiklerinin mekaniksel ve elektronik özelliklerinin AB Inİtİo yöntemle incelenmesi

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.advisorDeligöz, Engin
dc.contributor.authorKorkmaz, Mehmet Abdurrahman
dc.date.accessioned2020-01-15T11:01:57Z
dc.date.available2020-01-15T11:01:57Z
dc.date.issued2019
dc.date.submitted2019-05-20
dc.departmentFen Bilimler Enstitüsü
dc.description.abstractBu tez çalışmasında, In2Ge2Te6, In2Si2Te6, InGeTe3 ve InSiTe3 bileşiklerinin trigonal kristal yapısının yapısal, mekaniksel, anizotropi özellikleri, elektronik band yapıları ve termodinamik özellikleri yoğunluk fonksiyoneli teorisine dayanan ab initio metoduyla incelendi. Değiş tokuş enerjisinin hesabında genelleştirilmiş grandyent yaklaşımı (GGA-PBE) kullanıldı. Bileşiklerin elektronik band yapıları, elastik sabitleri, bulk modülü, Young modülü, shear modülü, Poisson oranları, sertlikleri, Debye sıcaklıkları, ses hızları ve anizotropi faktörleri ilk kez hesaplandı ve yorumlandı. Hesaplanan örgü parametreleri deneysel çalışmalar ile uyum içindedir. Tüm bileşikler yapısal ve mekaniksel yönden kararlılık göstermektedir.
dc.description.abstractIn study of this thesis, the structural, mechanical, anisotropy properties, electronic band structure and thermodynamic properties of In2Ge2Te6, In2Si2Te6, InGeTe3 and InSiTe3 compounds in trigonal crystal structure have been investigated using by ab initio method based on density functional theory. The exchange correlation energy were described the generalized gradient approximation (GGA-PBE) scheme. The electronic band structures, elastic constants, bulk modulus, Young's modulus, shear modulus, Poisson's ratios, hardness, Debye temperatures, sound velocities and anisotropy factors of these compounds have been calculated and commented for the first time. The calculated lattice parameters are in agreement with the available experimental data. The calculated results have shown that these compounds are both structural and mechanically stable in considered structure.
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12451/7009
dc.language.isotr
dc.publisherAksaray Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü
dc.relation.publicationcategoryTez
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectIn2Ge2Te6
dc.subjectIn2Si2Te6
dc.subjectInGeTe3
dc.subjectInSiTe3
dc.subjectAb Initio
dc.subjectMekaniksel Özellikler
dc.subjectAnizotropi
dc.subjectBand Yapısı
dc.subjectAb Initio
dc.subjectMechanical Properties
dc.subjectAnisotropy
dc.subjectBand Structure
dc.titleIn2Ge2Te6, In2Si2Te6, InGeTe3 ve InSiTe3 bileşiklerinin mekaniksel ve elektronik özelliklerinin AB Inİtİo yöntemle incelenmesi
dc.title.alternativeInvestigation of mechanical and electronic properties of In2Ge2Te6, In2Si2Te6, InGeTe3 ve InSiTe3 Compounds by AB Initio method
dc.typeMaster Thesis

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
[ X ]
İsim:
korkmaz-mehmet abdurrahman-2019.pdf
Boyut:
2.86 MB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
Açıklama:
Tam Metin / Full Text
İndir
Lisans paketi
Listeleniyor 1 - 1 / 1
[ X ]
İsim:
license.txt
Boyut:
1.44 KB
Biçim:
Item-specific license agreed upon to submission
Açıklama:
İndir

Koleksiyon

Tez Koleksiyonu