In2Ge2Te6, In2Si2Te6, InGeTe3 ve InSiTe3 bileşiklerinin mekaniksel ve elektronik özelliklerinin AB Inİtİo yöntemle incelenmesi
Yükleniyor...
Tarih
2019
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Aksaray Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Bu tez çalışmasında, In2Ge2Te6, In2Si2Te6, InGeTe3 ve InSiTe3 bileşiklerinin trigonal kristal yapısının yapısal, mekaniksel, anizotropi özellikleri, elektronik band yapıları ve termodinamik özellikleri yoğunluk fonksiyoneli teorisine dayanan ab initio metoduyla incelendi. Değiş tokuş enerjisinin hesabında genelleştirilmiş grandyent yaklaşımı (GGA-PBE) kullanıldı. Bileşiklerin elektronik band yapıları, elastik sabitleri, bulk modülü, Young modülü, shear modülü, Poisson oranları, sertlikleri, Debye sıcaklıkları, ses hızları ve anizotropi faktörleri ilk kez hesaplandı ve yorumlandı. Hesaplanan örgü parametreleri deneysel çalışmalar ile uyum içindedir. Tüm bileşikler yapısal ve mekaniksel yönden kararlılık göstermektedir.
In study of this thesis, the structural, mechanical, anisotropy properties, electronic band structure and thermodynamic properties of In2Ge2Te6, In2Si2Te6, InGeTe3 and InSiTe3 compounds in trigonal crystal structure have been investigated using by ab initio method based on density functional theory. The exchange correlation energy were described the generalized gradient approximation (GGA-PBE) scheme. The electronic band structures, elastic constants, bulk modulus, Young's modulus, shear modulus, Poisson's ratios, hardness, Debye temperatures, sound velocities and anisotropy factors of these compounds have been calculated and commented for the first time. The calculated lattice parameters are in agreement with the available experimental data. The calculated results have shown that these compounds are both structural and mechanically stable in considered structure.
In study of this thesis, the structural, mechanical, anisotropy properties, electronic band structure and thermodynamic properties of In2Ge2Te6, In2Si2Te6, InGeTe3 and InSiTe3 compounds in trigonal crystal structure have been investigated using by ab initio method based on density functional theory. The exchange correlation energy were described the generalized gradient approximation (GGA-PBE) scheme. The electronic band structures, elastic constants, bulk modulus, Young's modulus, shear modulus, Poisson's ratios, hardness, Debye temperatures, sound velocities and anisotropy factors of these compounds have been calculated and commented for the first time. The calculated lattice parameters are in agreement with the available experimental data. The calculated results have shown that these compounds are both structural and mechanically stable in considered structure.
Açıklama
Anahtar Kelimeler
In2Ge2Te6, In2Si2Te6, InGeTe3, InSiTe3, Ab Initio, Mekaniksel Özellikler, Anizotropi, Band Yapısı, Ab Initio, Mechanical Properties, Anisotropy, Band Structure
