Yazar "Korkmaz, Mehmet Abdurrahman" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 1 / 1
  • Küçük Resim
    Öğe
    In2Ge2Te6, In2Si2Te6, InGeTe3 ve InSiTe3 bileşiklerinin mekaniksel ve elektronik özelliklerinin AB Inİtİo yöntemle incelenmesi
    (Aksaray Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 2019) Korkmaz, Mehmet Abdurrahman; Deligöz, Engin
    Bu tez çalışmasında, In2Ge2Te6, In2Si2Te6, InGeTe3 ve InSiTe3 bileşiklerinin trigonal kristal yapısının yapısal, mekaniksel, anizotropi özellikleri, elektronik band yapıları ve termodinamik özellikleri yoğunluk fonksiyoneli teorisine dayanan ab initio metoduyla incelendi. Değiş tokuş enerjisinin hesabında genelleştirilmiş grandyent yaklaşımı (GGA-PBE) kullanıldı. Bileşiklerin elektronik band yapıları, elastik sabitleri, bulk modülü, Young modülü, shear modülü, Poisson oranları, sertlikleri, Debye sıcaklıkları, ses hızları ve anizotropi faktörleri ilk kez hesaplandı ve yorumlandı. Hesaplanan örgü parametreleri deneysel çalışmalar ile uyum içindedir. Tüm bileşikler yapısal ve mekaniksel yönden kararlılık göstermektedir.