Tb3Si5N9O Bileşiğinin Mekanik ve Elektronik Özelliklerinin Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi ile İncelenmesi

Abstract

Nadir toprak elementlerinin oksonitridosilikatları RE 3[Si 5N9 O] ortorombik Pbcm (no: 57, Z=4) yapıda kristal oluşturdukları yeni yapılan bir çalışmadan bilinmektedir [1]. Bu çalışmada, aynı serinin deneysel sentezi yapılmamış Terbiyum oksonitridosilikat Tb3 [Si5 N 9O]’ın üzerine belirlenen yapı örnek alınarak kuramsal hesaplamalar yapılmıştır. Hesaplamalarda Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi-Genelleştirilmiş Gradyant Yaklaşımı (DFT-GGA) dahilinde elektron iyon etkileşimi için PAW (Projector-Augmented- Wave) düzlem dalga metodu ve elektron-elektron etkileşimi için ise Perdew-Burke-Ernzerhof (PBE) değiş- tokuş ve korelasyon terimi temel alındı ve VASP paket programı kullanıldı [2-4]. Elektronik band yapısı ve durum yoğunluğu (DOS) hesaplanarak yorumlandı. 2. dereceden elastik sabitler (Cij) “zor-zorlama” yöntemi [5] kullanılarak elde edildi ve bileşiğin polikristal elastik modülleri (Bulk ve Young modülü, Poisson oranı) ve evrensel anizotropi faktörü hesaplanarak yorumlandı.