Özcan, SibelEşme, Berrin Sulatn2022-01-172022-01-1720192019-09-21https://hdl.handle.net/20.500.12451/9117Bu çalışmada, BaO/Si(001) ara yüzeyinin kaplamaya bağlı olarak yapısal ve elektronik özellikleri yoğunluk fonksiyoneli teorisine dayanan ab initio yöntemlerle hesaplandı. İki olası ara yüzey geometrisi düşünüldü: (i) ½ ML Sr (Model-1), (ii) 1 ML Sr ve 1ML Oksijen (Model-2). Si(001) tabakası üzerindeki her bir BaO tabakası için atomik ve elektronik yapı araştırıldı. Model-1 ve Model-2 ara yüzey geometrilerinde dört ve daha fazla tabakalı BaO için bant aralığının doğrudan bant aralığından dolaylı bant aralığına geçiş yaptığı görüldü.Ab initio calculations, based on pseudopotentials and density functional theory, have been performed to investigate the structural and electronic behavior of the BaO/Si(001) interface depending on the coverage. Two possible interface geometries were considered: (i) 1/2 ML Sr (Model-1), (ii) 1 ML Sr and 1 ML oxygen (Model-2). The atomic and electronic structure of each layer BaO on Si(001) is investigated. The band gaps turn from direct to indirect band gap after 4 layers BaO on the Model-1 and Model-2.trinfo:eu-repo/semantics/openAccessAb Initio YöntemYoğunluk Fonksiyoneli TeorisiSi YüzeyiBaOAb Initiom MethodDensity Functional TheorySi SurfaceBaOMaster Thesis